imec 首次成功利用 ASML High NA 光刻机实现逻辑、DRAM 结构曝光

kqaznl">IT之家 8 月 8 日消息，首次比利时微电子研究中心 imec 当地时间昨日宣布，成功在其与 ASML 合作的利用 High NA EUV 光刻实验室首次成功利用 High NA EUV 光刻机曝光了逻辑和 DRAM 的图案结构。在逻辑图案方面，光刻构曝光imec 成功图案化了单次曝光随机逻辑机构，机实辑DM结实现了 9.5nm 密集金属线（IT之家注：对应 19nm Pitch），现逻将端到端间距尺寸降低至 20nm 以下：▲密集金属线。首次图源 imec，成功下同不仅如此，利用imec 实现了中心间距 30nm 的光刻构曝光随机通孔，展现了出色的机实辑DM结图案保真度和临界尺寸一致性：▲随机通孔此外，imec 通过 High NA EUV 光刻机构建了 P22nm 间距的现逻二维特征，显示了新一代光刻技术在二维布线方面的首次潜力：▲二维特征而在 DRAM 领域，imec 成功利用单次曝光图案化了集成 SNLP（Storage Node Landing Pad）和位线外围的成功 DRAM 设计，展现了 High NA EUV 减少曝光次数的利用能力：▲DRAM 设计imec 总裁兼首席执行官 Luc Van den hove 表示：这些结果证实了 High NA EUV 光刻技术长期以来所预测的分辨率能力，一次曝光即可实现 20nm 以下间距的金属层。 因此 High NA EUV 将对逻辑和存储器技术的尺寸扩展起到重要作用，而这正是将路线图推向 "埃米时代" 的关键支柱之一。 这些早期演示之所以能够实现，要归功于 ASML-imec 联合实验室的建立，它使我们的合作伙伴能够加快将 High NA 光刻技术引入制造领域。

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